Polycrystalline silicon ingot

第四代高效多晶工艺:在现有的高纯原辅材材料,全熔,半熔工艺高效多晶基础上通过铸锭炉结构上的改进,减小炉内横向温差,获得更平的长晶界面,更优的柱状晶和位错密度更低的硅锭,同时利用DS的特殊导热结构,使液相充分对流,减少杂质沉积;通过铸锭端改良实现电池效率0.1%提升,并提高其良品率和生产效率。